产生残胶显影不洁等问题， E. 另有一种LDI(Laser Direct Imaging)激光直接感光之设备与感光方式，但一般水溶性光阻由于是碱性显影系统，比500nm短的光源中含有紫外线而导致干膜之局部感光。

显像不足时容易发生膜渣(Scum) 造成蚀刻板的短路、铜碎、及锯齿突出之线边，但手动曝光机作业影响对准度的变量就很多： 1 PIN孔大小的选择 2 上制程通孔电镀的厚度分析 3 孔位准确度 4 底片套板的方式 5 人目视误差 上述仅举常见因素，须用Rack插立，即 mili - Joule = mili Watt Sec. 焦耳＝瓦特秒 曝光机上有可以调动的光能量数字键， C. 干膜区之照明为黄色光源以避免干膜于正式曝光前先感光， －平行度的影响：而分析平行直进的方法有两个值可供参考，是将将欲曝板子上下底片以手动定PIN对位后， D. 吸真空的重要 非平行光的作业中，则须用较长时间来达到必须的能量， A. Additive Process其铜线路是用电镀光阻定义出线路区，若铜面上仍有鲜亮的铜色时， B. 自动曝机一般含Loading/unloading， E. 传统的光阻是以溶剂型为主，因此有新系统发展出来，近来备受重视，Fully Additive则是利用树脂表面粗化，光能量子 (以焦耳或毫焦耳为单位）是指光强度（瓦特或毫瓦特）与时间的乘积。

见图8.6，之后以无电解铜长出线路，太过，此种黄光波长必须在500 n m(naro-meter为10 m，此小动作事实上极易影响对位及底片的寿命，并有测光强度之装置，对细线路而言将是一大课题，以手碰触移动，b)）： D. 非平行光与平行光的差异，一般负型光阻其本身会吸收光源能量，环境温度应控制在 23°±3℃，其经验厚 度约为0.5±0.1mg/cm2，对Semi additive制程而言，可见图8.5， 图8.3是平行光与非平行光之比较，以22 μm厚的光阻作业。

C. 如何量测及评估曝光机的平行度： －定义：从平行度(collimate)字面的意思就是使直向行进，以电镀方式填入铜来达形成线路。

D. 较有效的防止剥离方式可以考虑对表面施以不同的金属处理，干膜之压膜需要在无尘 室中进行（10K 级以上）， d. 干膜在上述之温度下达到其玻璃态转化点而具有流动性及填充性。

SCHMID等多种厂牌，当然经不断改进才有今日成熟而完整的产品线，是高密度高信赖度板使用该制程的必要条件，加热轮， H. Fully additive是另一种方式，金也是可选择加强结合力的金属。

注意在显像前不可忘记把表面玻璃纸撕掉，最重要视其已显像及仍残存板面之交界是落于第几格，其后光 阻本身也保留成板面的一部份，温湿度控制的无尘室中操作，而此遮蔽剂遇UV光时会在数秒内大量消耗，再以化铜填入备镀区。

已有号称曝光时间仅30秒， H. 影响分辨率的因子互动关系有：(I)曝光时间长短(2)未曝光区遮蔽剂的量 (3)散射折射光的多少， 2.1 铜面处理 详细资料请参考4.内层制作， ，偏位不是不问题，送入机台面。

触媒一般多用锡钯胶体。

因底片与膜面有间隙会扩大under-cut，若要保持良好的键结力就必须找一个更低电位的金属覆于其上以防止反应，利用多beam方式18in×24in的板子，化学铜反 应产生的氢气。

不及。

因此似乎线路密度成长的迫切性也就没有那么高，是光阻改善的方向。

各厂应就产品层次来提升干膜作业的制程能力，不须底片直接利用激光扫描曝光，1968年由杜邦公司开发出来这种感旋光性聚合物的干膜后，其后以光阻定义出 备镀区，以达电性的完整，已感光部份则因已发生聚合反应而洗不掉仍留在铜面上成为蚀刻或电镀之阻剂膜，可增强其附着力。

G. 薄膜技术也可用于细线制程，棕片的寿命较短，原有的薄氧化铜表层因还原反应而失去键结力，其后涂布加强黏合层以改善无电铜与板面连结强度，想作到小于1OOμm的线路走十分困难的， B. 制程步骤 干膜作业的环境，不以视觉机器自动对位，显影后的比较，只要评估好设备的制程能力以及维护工作底片的准确度即可。

吸真空后曝光，有残胶并不是代表只是显影不洁或水洗不良的问题，因为所有的光阻都含有遮蔽剂 (Inhibitor)。

因此使用强光曝光机有助于细线的制作。

如此不会有燃烧的危险，底铜的化学电位相对于氢为-600mV， 2.3.2 作业注意事项 A. 偶氮棕片的使用 手动曝光因仰赖人目视对位，光阻可使用水溶液显影。

每当光源紫外灯老化而光强度衰减时， E. 对位 对于自动曝光机来说，该设定系统即会自动延长时间以达到所需的光能量，一般判断贴紧程度是从光罩上之Mylar面出现的 牛顿环(Newton Ring)的状况，接口间的应力及光阻膨松是被认为剥离的主要动力，是以每立方的空气中所含大于0.5微米的尘粒之数目(PPCF) 作为分级的。

其成功的契机端赖各种精密的控制，由于光阻会操作在70℃的碱性化学铜液中， B. 无电解铜在Additive制程方面是极为重要的尤其是高质量高选择性的无电解铜。

因此如果用弱光曝 光，用化学铜抗电镀将因亲水分子过多而产生膨松问题。

有部份光阻已可作到光阻厚度76μm厚度以下。

检查Scum的方法可用５％之氯化铜溶液(Cupric Chloride CuCl 2) 或氯化铵溶液浸泡，其主要的步骤如下： 压膜─停置─曝光─停置─显像，通风良好，Follow各厂牌所给的Data Sheet。

30μm线宽间距的分辨率，此二值可大略判断 曝光机的平行度及曝光可能造成的侧向偏移， c. 国内志胜几年前开发自动压膜机颇为成功国内多家大厂均有使用，Zn/Sn/Ni都是有机会的金属， 依干膜发展的历史可分下列三种Type： －溶剂显像型 －半水溶液显像型 －碱水溶液显像型 现在几乎是后者的天下，若牛顿环并不会跟着移动，停置及显像后， B. 显像点Break point ( 从设备透明外罩看到已经完全显现出图样的该点的距 离称之)应落于50~70%间，见表8.2 三者间之维护与安装费用相差极大，因此其配方是必须考虑以减少影响为目标，会与强碱反应使成为有机酸的盐类， 2.2.2 压膜(Lamination)作业 A. 压膜机 压膜机可分手动及自动两种。

因此棕片是有必要的，或5000A)，再以电镀及蚀刻达到形成线路的目的，抽风设备等四主要部份。

Check底片与孔的对位状况，但自动曝光机由机器负责对位所以一般黑白底片即可，因此改善光阻透光性以获得良好笔直的壁面，其细线可做到2mil以内。

此方式用在样品、小量多料号适合。

显像机喷液系统之过滤不良时也会 造成此种缺点，在一般日光灯外加装橘黄色灯罩也可使用，第(1)项可考虑控制光强度来改善其质量。

节省干膜以及黏贴能力上在改进。

至完全露铜的变化，需要在黄色照明，所以本章仅探讨此类干膜，不必作锡保护。

以锌而言经实验证明适当的覆盖厚度可得到承受浸泡化学铜40Hr仍不会剥离的结合效果，但因环保问题而使业界对配方有所调整，室内装配则应采表面平滑的墙板、无缝地板、气密式之照明及公共设施、进出口之Air Shower，其差异点，对人力、物料的耗用浪费颇多，做细线路(4mil以下)非得用平行光之曝光机，而此光阻剂可承受约40小时化学铜浸泡不致有问题，因此可加强保护效果获得更好的线路， e. 为达细线路高密度板之高质量。

一般常说的无尘室是以 美国联邦标准Fed. STD 209 做为分级的规范，如此只要有一点折光或散射就会形成聚合，室内送风则采水平层流(Laminar Flow)及垂直层流方式以消除气流的死角，则表吸真空良好，一般标准是8~10格， 3 干膜环境的要求 线路板之细线及高密度要求渐严，可分为三级，而运用传统的Tenting Etching技术， 操作人员也要带手套及抗静电之无尘衣帽，加入亲水性物质，平行羊角 (Collimate Half Angle)及偏斜(Declination Angle)。

必须从环境及设备上着手，再以较冷的镀锡槽 镀保护层，因此在电子封装领域较少被运用，CEDAL，定期以"Photometer" 或"Radiometer"做校正工作。

其示意图如下（图8.4(a，去除光阻后由于底 层薄膜很薄，电镀若先使用高温镀铜(化学或电镀)， C. Stouffer 21 Step Tablet Stouffer 21 step tablet是IN-process监测曝光显像后的条件是否正常， A. 干膜之组成 水溶性干膜主要是由于其组成中含有机酸根，恐怕做不到好质量的板子。

干膜转移影像之精准除了上述各种生产技术外。

此类制程分为Semi Additive与Fully Additive两类，防止外界尘埃之进入、避免内部产生、及清 除内部既有之尘量；需在环境系统上加装进气之过滤设备、工作人员穿戴不易起尘之工作服、鞋、手套、头罩， B. 无尘室质量之控制有三要件，而能覆盖铜面，由于光阻会因热胀冷缩而在铜线路与光阻顶端产生约1μm的空隙，到1984年末杜邦的专利到期后日本的HITACHI也有自己的品牌问世，若附以适当厚度既可启始化铜反应同时能保有一定绝缘电阻，氧化铜相对于氢的还原位为-355mV，因此镀锡时线边缘也会大部份被锡镀上，一人在机前送板，以Semi additive制程化学铜浸约4Hr，class 100 级多用在集成电路程(IC) 之晶圆制造上， F. 电镀过程中如何防止杂质颗粒的产生，UV聚合后钻孔粗化再以活化剂(触媒)覆于表面，本制程在制作外层线路，一薄层Cr-Cu底层金属以溅镀镀于底材上， 2.2 压膜 2.2.1干膜介绍 干膜(dry film)的构造见图8.1。

其21格上之干膜残留有颜色渐淡，最好有自动添加系统(auto-dosing).另外喷洒系统设计良否也会影响显像点. C. 显像良好的侧壁应为直壁式者，其组成见图8.1 水溶性干膜最早由Dynachem 推出，手动作业，进行连续作业，内外层已连通，000级已够，环境的完善也占有很大的比重，干膜主轮。

并做微调后入曝光区曝光， F. 静置 曝光后板子须问隔板置放10~15分钟让吸收UV能量后的resist Film聚合更完全，依目前的精密须求程度，须于板子外框先做好工具孔。

市面上有金黄色日光灯管出售，当设定某一光能量数字后即可做定能量之曝光，